工防信息系統的決定因素和核心技術，決定了設備的內在屬性和性能，具有重要的戰略地位和不可替代的作用，在國家的政治、工防、經濟實力和科技水平的體現，是中國通過科學技術和國家生存、發展的重要戰略資源。對武器裝備和微電子組件的誕生和發展的需求是分不開的。從1947世界誕生的第一個晶體管，世界上第一個1958世界的集成電路的誕生，工防需求是一個不竭動力的發展微電子組件。戰爭的未來是信息戰，關鍵在于集成電路。”

微電子元件是小型化的電子器件，使用芯片和微電子系統技術的實現，因此可以使電路和器件性能，可靠性大大提高，大大降低了尺寸和成本。微電子器件包括半導體集成電路和半導體器件。集成電路包括數字集成電路、模擬集成電路和數字模擬混合(混合信號)集成電路的半導體集成電路。半導體器件包括微波功率器件和其它分立半導體器件。微電子技術分為單片集成電路、分立半導體器件、混合集成技術和微組裝封裝技術。

微電子技術與微電子技術發展的工防發展規律。在過去的50年里，特別是在過去30年中，微電子技術是沿著平行和獨立的路線，第一行是按照穆爾的法律進展，硅數字集成電路(技術推動)。工防硅集成電路面臨的挑戰是如何解決芯片結構和設計的復雜問題。同時，高度可靠的半導體材料和工藝技術路線圖是按照發展的成功，形成微電子組件的主流技術和產品開發，以及聯合發展的工防和民用集成電路的情況。二是目前工防要求的主要借鑒。由于工防電子裝備的迫切需求，高頻設備，主要解決微波毫米波功率器件和單片微波集成電路(MMIC)，和化合物半導體驅動人們去深入研究。不同的硅集成電路，微波功率器件和單片微波集成電路的主要挑戰是一舉三得，即解決了化合物半導體材料生長的控制問題，實現設備的一致性;實現無源阻抗匹配元件芯片上的布線管理;實現控制芯片的信號傳輸阻抗。

我們的工防微電子元件經過多年的努力，特別是通過近10年的快速發展，工防集成電路實現了0.25μm-0.5μm，技術水平在5英寸6英寸;產品設計實現0.18μm-90nm，數以百萬計的大門的能力數。工防4英寸和vshic GaAs MMIC技術的研究和開發從0.5米到0.25米μμ提高線;性能的信號處理裝置可與奔騰芯片586cpu /源/ DSP和powerpc603e星抗輻射處理器兼容(SPARCv8)基于SOI 1750A微處理器技術，如開發成功和狹窄中國與國際水平的差距;已經敲定為386 / 387中，486和其他兼容的CPU，TMS320C25 / 3X / 50和ADSP21160和其他兼容的DSP;4 bit-16m位存儲器、高性能陣列器件等，可替代進口產品。8高速A/D轉換器、12位50MSPS的A / D轉換器，16使用A / D轉換器，14位300MHz的DDS和抗輻射器件的直流/直流電源等已研制成功緩解高科技武器的迫切需要。硅雙極功率GaAs MMIC器件和基本實踐設備已經能夠覆蓋18GHz產品下，GaN和SiC寬禁帶半導體微波功率器件取得重大突破。

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